MOSFET y diodos de carburo de silicio de 1200 V

Wolfspeed ofrece una familia de MOSFET de carburo de silicio de 1200 V y diodos Schottky que están optimizados para su uso en aplicaciones de alta potencia como UPS, control de motores y unidades, fuentes de alimentación en modo conmutado, sistemas de almacenamiento de energía solar y solar, carga de vehículos eléctricos, convertidores de CC/CC de alto voltaje y más.

MOSFET de carburo de silicio de 1200 V: basado en tecnología de tercera generación, los MOSFET C3M™ de 1200 V de Wolfspeed incluyen una amplia variedad de resistencias y opciones de paquetes que permiten a los diseñadores seleccionar la pieza correcta para sus aplicaciones. Los MOSFET de 1200 V están diseñados para baja R_DS(ON) y aumentaron la relación C _GS/C _GD para un mejor rendimiento de conmutación dura. Las aplicaciones de conmutación suave también pueden beneficiarse de la conducta C_OSS más lineal

Diodos Schottky de carburo de silicio de 1200 V: los diodos de 1200 V de Wolfspeed también vienen en una variedad de opciones de paquetes y clasificaciones actuales. Los diodos presentan un diseño MPS (Schottky PiN fusionado), el cual es más robusto y confiable que los diodos de barrera Schottky estándar. Están diseñados para lograr esencialmente ninguna pérdida de conmutación, reducir los requisitos de disipador de calor y mantener una mayor eficiencia. Los diodos de 1200 V se pueden conectar fácilmente en paralelo para una mayor flexibilidad de diseño.

Conectar los diodos de SiC de 1200 V de Wolfspeed con los MOSFET de SiC crea una poderosa combinación de mayor eficiencia en aplicaciones exigentes. La eficiencia obtenida al pasar de una solución basada en silicio a carburo de silicio puede reducir el tamaño, el peso, la complejidad y el costo del sistema en la mayoría de las aplicaciones de alta potencia.