La memoria Flash serie FL-S de Infineon proporciona memoria Flash SPI NOR cuádruple rápida con densidades de 128 Mb a 1 Gb para sistemas integrados de alto rendimiento. La familia FL-S cuenta con calificación AEC-Q100 y admite PPAP para clientes automotrices a rangos de temperatura ampliados de -40 °C a +125 °C.
La familia FL-S ofrece velocidades de lectura en modo E/S único, doble y cuádruple hasta SDR (velocidad de datos única) de 133 MHz y hasta DDR (velocidad de datos doble) de 80 MHz que entrega ancho de banda de lectura de hasta 80 Mbps. Las velocidades de rendimiento de programación líder en la industria (hasta 1.08 Mbps) acelera el rendimiento de fabricación y reduce dramáticamente los costos de programación.
| Características |
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- Tamaño de sector de parámetro: uniforme de 4 KB, tamaño de sector (híbrido) de 64 KB y sectores uniformes de 256 KB
- Tasa de reloj (SDR): 104 MHz
- Tasa de reloj (DDR): 80 MHz
- Rangos de temperatura:
- Grado automotriz 1 (-40 °C a +125 °C)
- Grado automotriz 2 (-40 °C a +105°C)
- Grado automotriz 3 (-40 °C a +85°C)
- Industrial Plus: -40 °C a +105 °C
- Industrial: -40 °C a +85 °C
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- Tiempos de borrado de sector (Típ.): 130 ms (64 KB)
- Potencia
- Voltaje de suministro de 2.7 V a 3.6 V
- Corriente activa de 90 mA (máx.)
- Corriente en espera de 70 μA (típ.)
- Retención de datos: 20 años (mín.)
- Resistencia de ciclo: 100,000 ciclos de programa/borrado (mín.)
- Horarios de programa de página: 250 μs (256 B)
- Ancho de banda de lectura: 80 MBps (DDR)
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La memoria Flash serie FL-S de Infineon proporciona memoria Flash SPI NOR cuádruple rápida con densidades de 128 Mb a 1 Gb para sistemas integrados de alto rendimiento. La familia FL-S cuenta con calificación AEC-Q100 y admite PPAP para clientes automotrices a rangos de temperatura ampliados de -40 °C a +125 °C.
