MOSFET de potencia DI080N06PQ de 80 A/60 V en QFN5x6
El DI080N06PQ de Diotec Semiconductor ocupa poco espacio y ofrece una RDS(ON) baja y un accionamiento de compuerta de nivel lógico
El DI080N06PQ de Diotec Semiconductor es un MOSFET de potencia de canal N en el compacto paquete QFN de potencia de 5 mm x 6 mm. Con una potencia nominal de 80 A y 60 V, el dispositivo presenta una baja resistencia en estado encendido, tiempos de conmutación rápidos y una resistencia térmica muy baja. El bajo voltaje de umbral de compuerta permite el accionamiento a nivel lógico, mientras que su bajísima carga de puerta y de salida reduce las pérdidas de potencia y mejora la eficiencia global. La temperatura de unión de funcionamiento oscila entre -55°ºC y +150°ºC. Como tales, estas piezas son ideales para todo tipo de aplicaciones comerciales e industriales, como accionamientos de motores de CC sin escobillas, herramientas eléctricas, convertidores de CC/CC, rectificadores síncronos y muchas más.
- Paquete de bajo perfil que ahorra espacio
- Resistencia baja en estado encendido
- Tiempos de conmutación rápidos
- Baja carga de compuerta
- Resistencia térmica baja
- Avalancha nominal
- Cumple con las directivas RoHS, REACH, y Conflict Minerals
- 60 V de voltaje de drenaje a fuente (VDSS)
- Corriente continua de drenaje de 80 A (II)
- Resistencia en estado encendido típica de 2.4 mR (RDS(ON))
- Corriente de fuga de drenaje-fuente de 1 µA (IDSS)
- Voltaje de compuerta-fuente continua de ±20 V (VGSS)
- Disipación de potencia de 65 W (Ptot)
- Corriente de drenaje pico de 400 A (IDM)
- Corriente continua de la fuente de 90 A (IS)
- Corriente de fuente pico de 480 A (ISM)
- Energía de avalancha de un solo pulso de 185 mJ (EAS)
- Resistencia térmica (RthC) <1.9 K/W
- Rango de temperatura de unión de funcionamiento (TJ) de -55 ºC a +150 ºC
- Paquete QFN de potencia de 5 mm x 6 mm
- Accionamientos de CC
- Herramientas eléctricas
- Cargadores de baterías
- Convertidores de CC-CC
- Fuentes de alimentación
- Rectificadores síncronos
- Notas sobre la aplicación: MOSFET de potencia Flyer
- Notas de aplicación: protección contra polaridad inversa
- Diagrama de referencia: etapa de controlador industrial
- Diagrama de referencia: actuador BLDC industrial
DI080N06PQ 80 A / 60 V Power MOSFET in QFN5x6
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | DI080N06PQ | MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V | Canal N | MOSFET (óxido de metal) | 65 V | 0 - Inmediata | $2.72 | Ver detalles |



