Rendimiento GaN superior
Para la máxima eficiencia: HEMT CoolGaN™ de Infineon y controladores de compuerta EiceDRIVER™
CoolGaN™, la tecnología GaN de Infineon, no tiene rival en calidad y está respaldada por la fabricación interna de Infineon para garantizar la estabilidad del suministro. Los productos CoolGaN™ ofrecen la mayor eficiencia y densidad de potencia del mercado, lo que los hace ideales para aplicaciones que exigen un rendimiento superior. Con una amplia experiencia y conocimiento de las aplicaciones, Infineon proporciona soluciones de producto innovadoras en todo el espectro, desde soluciones discretas a sistemas altamente integrados.
¿Por qué elegir GaN de Infineon?
Oferta tecnológica completa:
Si + SiC + GaN
Estándares de máxima calidad:
El HEMT de GaN más fiable del sector
Estabilidad del suministro:
Fabricación propia
Cobertura de aplicaciones:
Industriales, de consumo y automotrices
Liderazgo en PI:
Más de 650 patentes específicas de GaN
Experiencia en sistemas:
Interruptor + controlador + CI de control
Aplicaciones objetivo:
- Cargador/Adaptador
- Iluminación
- Servidor
- Telecomunicaciones
- TV/Monitor
- Solares
- Impulsores de motor
Elija lo que más le convenga: discreto o IPS.
Consulte el gráfico para averiguar si necesita una solución discreta flexible o un sistema altamente integrado para su próximo diseño. La oferta CoolGaN™ proporciona el producto adecuado para sus necesidades.
- Componentes discretos
- Integrado
- Soporte de diseño
Solución discreta: HEMT CoolGaN™ 600V GIT de modo electrónico + CI de controladores de compuerta EiceDRIVER™
HEMT GIT CoolGaN™ de Infineon es una tecnología de transistores de nitruro de galio de alta eficiencia para la conversión de energía en el rango de voltaje de hasta 600 V. Infineon llevó el concepto de modo electrónico a la madurez con una producción integral en grandes volúmenes. Su calidad pionera garantiza los más altos estándares y ofrece la solución más fiable y de mayor rendimiento entre todos los HEMT de GaN del mercado.
Características clave
- Alto rendimiento
- Paquetes SMD refrigerados por la parte superior e inferior
- La mayor eficiencia y densidad de potencia
- Mejor comportamiento térmico en aplicaciones
Beneficios clave
- Solución de concepto único normalmente apagado
- Excelente para topologías de conmutación suave y fuerte
- Encendido y apagado optimizados
- Qrr de recuperación inversa cero
- Inmunidad al cambio de RDS(on)
- Excelente estabilidad
- Mejor coeficiente de calidad
- Mayor vida útil demostrada
Oferta de productos:
| Paquete RDS(ON) | Refrigeración inferior DSO-20-85 |
Refrigeración superior DSO-20-87 |
HSOF-8-3 TO-sin conductor |
LSON-8-1 DFN 8x8 |
TSON-8-3 ThinPAK 5x6 |
|---|---|---|---|---|---|
| 70 mΩ | IGO60R070D1 | IGOT60R070D1 | IGT60R070D1 | IGLD60R070D1 | |
| 190 mΩ | IGLD60R190D1 | IGLR60R190D1 | |||
| 260 mΩ | IGLR60R260D1 | ||||
| 340 mΩ | IGLR60R340D1 |
Soluciones de accionamiento de compuertas:
Los HEMT CoolGaN™ GIT de modo electrónico de Infineon son fáciles de manejar. Descargue esta documentación técnica para descubrir varias soluciones de control, desde el controlador de compuerta acoplado a RC estándar hasta un nuevo concepto de controlador diferencial que utiliza CI de controlador de compuerta dedicados. En topologías de medio puente, una configuración híbrida que combine controladores aislados y no aislados podría ser una alternativa interesante. El documento se complementa con ejemplos de aplicaciones prácticas y esquemas de circuitos.
Controladores de compuerta estándar para HEMT CoolGaN™ GIT de modo electrónico.
| Familia EiceDRIVER™ |
N.° de pieza | Canales de salida | Tecnología y clase de aislamiento | Caso práctico | Paquete | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2EDi | 2EDF7275F | 2 canales | Aislados | Funcional | Accionamiento de dos GaN (medio puente, diagonal, paralelo) | DSO-16 150mil |
| 2EDF8275F | ||||||
| 2EDF7275K | LGA-13 | |||||
| 2EDS7165H | Reforzado | DSO-16 300mil | ||||
| 2EDS8265H | ||||||
| 2EDR7259X | DSO-14 300mil | |||||
| 2EDR8259X | ||||||
| 2EDB7259Y | Protección individual | DSO-14 150mil | ||||
| 2EDB8259Y | ||||||
| 1EDB | 1EDB7275F | 1 canal | Aislados | Protección individual | GaN de accionamiento de lado alto | DSO-8 150mil |
| 1EDB8275F | ||||||
| 1EDN-TDI | 1EDN7550B | 1 canal | Entradas diferenciales reales (TDI) | No aislado | GaN de accionamiento de lado bajo de fuente Kelvin | SOT23 |
| 1EDN8550B | 6 pines | |||||
CI de controladores de compuerta dedicados para HEMT CoolGaN™ GIT de modo electrónico
| Familia EiceDRIVER™ |
N.° de pieza | Canales de salida | Tecnología | Caso práctico | Paquete |
|---|---|---|---|---|---|
| 1EDi | 1EDS5663H | 1 canal | Aislados | Accione HEMT CoolGaN™ GIT de lado bajo o alto de modo electrónico con pérdidas de conducción inversa minimizadas y un “primer impulso” seguro | DSO-16 300mil reforzado |
| 1EDF5673F | HVI funcional DSO-16 150mil | ||||
| 1EDF5673K | LV funcional LGA13 5x5 mm |
GaN integrado: etapa de potencia integrada (IPS) CoolGaN™ de medio puente y un solo interruptor
La etapa de potencia integrada (IPS) CoolGaN™ de Infineon combina la robustez de la estructura del transistor de inyección de compuerta con drenaje híbrido (HD-GIT) con la precisa tecnología integrada de controlador de compuerta EiceDRIVER™ de Infineon. Esto se traduce en un menor espacio físico, mayor densidad de potencia y eficiencia energética, lo que la convierte en una excelente alternativa a los semiconductores de silicio. La IPS CoolGaN™ de Infineon también tiene la ventaja añadida de una frecuencia de conmutación más rápida y una mayor flexibilidad de diseño. Para los ingenieros, esto significa sistemas más eficientes desde el punto de vista energético, una implementación simplificada y un mejor aprovechamiento del espacio de las placas de circuito impreso.
Características clave
- Bloque digital de entrada y salida de alimentación
- Comportamiento de conmutación configurable por la aplicación
- Cronometraje muy preciso y estable
- Paquete QFN-28/21 de 8 x 8 mm térmicamente mejorado
Beneficios clave
- Fácil de manejar con entrada digital PWM
- BOM de sistema bajo
- Configurabilidad de la vía de acceso con bucle de baja inductancia en la placa de circuito impreso
- Tiempos muertos cortos para maximizar la eficiencia del sistema
- |Paquete pequeño para diseños de sistemas compactos
Formación en línea: beneficios de IPS CoolGaN™ para cargadores y adaptadores de alta densidad
El IPS CoolGaN™ está disponible en configuración de etapa de potencia de medio puente (disponible en 140 mΩ - 500 mΩ) o configuración de canal único (disponible en 100 mΩ - 270 mΩ) con controladores de compuerta dedicados en un paquete QFN (8x8 mm) térmicamente mejorado.
Oferta de productos:
| Paquete RDS(ON) | Medio puente CoolGaN™ | IPS CoolGaN™ de un solo interruptor |
|---|---|---|
| 100 mΩ | IGI60F100A1L | |
| 140 mΩ | IGI60F1414A1L | IGI60F140A1L |
| 200 mΩ | IGI60F2020A1L | IGI60F200A1L |
| 270 mΩ | IGI60F2727A1L | IGI60F270A1L |
| 500 mΩ | IGI60F5050A1L |
Soporte de diseño
EVAL_1EDF_G1B_HB_GAN
Placa de evaluación de medio puente de alta frecuencia con GaN EiceDRIVER™.
EVAL_HB_GANIPS_G1
Placa de evaluación de alta frecuencia IPS CoolGaN™ de medio puente de 600 V con IGI60F1414A1L.
EVAL_HB_PARALLELGAN
Evalúe la puesta en paralelo de HEMT CoolGaN™ de 600 V en configuraciones de medio puente para aplicaciones de mayor potencia.
Notas de aplicación
Notas técnicas
Formación en línea
- Cómo controlar los HEMT GIT CoolGaN™ de Infineon
- Fundamentos de los transistores CoolGaN™ de 600 V
- Comprensión y uso de los valores nominales de voltaje transitorio CoolGaN™ de Infineon
- CoolGaN™ de Infineon: conceptos básicos de fiabilidad y cualificación
- Beneficios de IPS CoolGaN™ para cargadores y adaptadores de alta densidad
- Soluciones de control de compuerta aislada: transformadores de impulsos frente a CI controladores de compuerta
