Infineon ha diseñado el IGBT7 TRENCHSTOP™ para transmisiones de velocidad variable para facilitar el cambio de energía de combustibles fósiles a energía eléctrica más ecológica. Se puede obtener un aumento significativo en la densidad de potencia debido a menores pérdidas estáticas, mayor densidad de potencia y una conmutación más suave al elevar la temperatura máxima permitida de operación del chip a +175 ºC.
Cada interruptor necesita un controlador, y el controlador adecuado marca la diferencia. Junto con el IGBT7 TRENCHSTOP, Infineon también ofrece los circuitos integrados de controlador de puerta EiceDRIVER™, incluidos controladores de lado bajo, controladores de cambio de nivel y controladores aislados. La familia EiceDRIVER ofrece una amplia gama de opciones de corriente de salida (de 0.1 A a 14 A) y diferentes características de protección como DESAT, pinza Miller, OCP, apagado, diodo de arranque integrado y aislamiento.
Características
Capacidad de sobrecarga:
- El IGBT7 TRENCHSTOP permite el funcionamiento a una temperatura de TVJOP = +175 ºC en condiciones de sobrecarga. Esto coincide con el requisito típico en las aplicaciones de variadores en las que solo se requieren alta corriente y temperatura a corto plazo.
Bajo voltaje en estado encendido:
- En comparación con IGBT4, el IGBT7 TRENCHSTOP reduce el voltaje en estado encendido en aproximadamente un 20 %. Esto trae una reducción significativa en las pérdidas para las aplicaciones objetivo, especialmente para los variadores industriales, que generalmente operan con frecuencias de conmutación moderadas, es clave para una mayor densidad de potencia y vida útil
Capacidad de control mejorada:
- El IGBT7 TRENCHSTOP ofrece un alto nivel de capacidad de control para cumplir con los requisitos de aislamiento del motor o las limitaciones de interferencia electromagnética (EMI), los cuales se implementan para evitar cualquier arco que eventualmente podría causar daños al aislamiento de la bobina. La capacidad de control corresponde a la capacidad del dispositivo para variar el dV/dt ajustando el valor de la resistencia de compuerta (RG), lo que permite una fase de diseño más sencilla.
Diodo mejorado:
- El diodo controlado por emisor EC7 reduce el voltaje directo en 100 V en relación con la generación anterior EC4. Esto también reduce las pérdidas de recuperación inversa y mejora la suavidad, lo que beneficia el comportamiento de EMI del inversor.
Mayor potencia:
- El módulo EconoDUAL™ 3, el mejor de su clase, proporciona una corriente de salida 50 % más alta para el mismo tamaño de armazón en comparación con la generación anterior de IGBT. La mayor densidad de potencia ayuda a evitar la conexión en paralelo de los módulos IGBT, lo que simplifica el diseño del inversor y reduce los costos.
Salto de tamaño de fotograma:
- Easy 1B y 2B son compatibles pin a pin con la generación IGBT4 anterior, lo que permite un reemplazo plug-and-play. Al intercambiar el IGBT4 TRENCHSTOP por la solución IGBT7, la corriente de salida es un 30 % más alta para la misma carcasa y el mismo sistema de refrigeración. Este último podría reducirse en un 40 % para la misma corriente de salida o la tercera opción sería lograr un salto en el tamaño del marco utilizando una carcasa más pequeña en combinación con un 11 % más de potencia de salida.
Bajas pérdidas:
- Las pérdidas de conducción a la limitación dV/dt dada se reducen significativamente. Además, hay una reducción en las pérdidas de diodos que conduce a pérdidas de energía un 15 % más bajas en general.
Impulso optimizado:
- CGE y CGC están equilibrados para dar al IGBT7 un control total sobre d/dt y optimizar la forma de onda de conmutación. CGE está diseñado para evitar efectos de encendido parasíticos, el suministro de voltaje cero para el apagado es factible (fuente de alimentación del controlador de compuerta unipolar)
Infineon ha diseñado el IGBT7 TRENCHSTOP™ para transmisiones de velocidad variable para facilitar el cambio de energía de combustibles fósiles a energía eléctrica más ecológica. Se puede obtener un aumento significativo en la densidad de potencia debido a menores pérdidas estáticas, mayor densidad de potencia y una conmutación más suave al elevar la temperatura máxima permitida de operación del chip a +175 ºC. 
