Diodos Schottky de silicio de baja barrera MA4E2054
Los diodos Schottky de silicio de baja barrera serie MA4E2054 de Macon están diseñados para aplicaciones de mezclador y detector de bajo costo y alto volumen.
MACOM ofrece la series MA4E2054 que son diodos Schottky de silicio de tipo N de barrera baja. Están diseñados para utilizarse como diodos mezclador y detector de alto rendimiento y montados en paquetes de plástico de bajo costo para montaje en superficie. Estas piezas se ofrecen con laminado de Sn/Pb, así como con laminado de Sn mate 100% en los números de pieza compatibles con RoHS. Los diodos de elemento individual pueden utilizarse como detectores y mezcladores de terminal único, y los diodos de elemento dual son útiles para circuitos duplicadores de tensión mezclador y detector balanceados.
Características
- IR baja (< 100 nA @ 1 V, < 500 nA @ 3 V)
- Sin plomo
- Configuraciones en par no conectado, individual y doble
- Bajo ruido 1
- Baja capacitancia: 0,30 pF
- Sensibilidad del detector alta: -55 dBm TSS
- Diseñado para aplicaciones de mezclador, detector de bajo costo y alto volumen
- Cumplen con la directiva RoHS.
- Compatible con reflujo de +260° C
Aplicaciones
- Detectores
- Mezcladores
- Aplicaciones de etiqueta de RF
- Aplicaciones de banda ISM
MA4E2054 Low Barrier Silicon Schottky Diodes
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Voltaje - Perturbación del suministro | Altura | Tamaño/Dimensión | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | MA4M3030 | CAP SILICON 30PF 200V SMD | 200 V | 0.008" (0.20mm) | 0.019" L x 0.019" A (0.50mm x 0.50mm) | 100 - Inmediata | $2.17 | Ver detalles |
Publicado: 2026-06-09
