MOSFET de potencia para aplicaciones automotrices de 40 V a 100 V

Los MOSFET de potencia para aplicaciones automotrices de MCC son eficientes, fiables y están diseñados específicamente para ofrecer un rendimiento excepcional en las aplicaciones más exigentes. Con rangos de 40 V a 100 V, estos MOSFET de potencia de canal N y canal P se han sometido a la calificación AEC-Q101, son aptos para PPAP y cuentan con un historial de excelencia demostrada. Al aprovechar dos innovadoras tecnologías de MOSFET (trinchera y trinchera de puerta dividida), estos productos proporcionan una flexibilidad sin igual y un amplio rango de ventajas.

Los MOSFET de potencia de bajo voltaje (BT) de trinchera de MCC, concretamente MCG30N04HE3-TP y MCG35N04HE3-TP, ofrecen una resistencia en estado encendido baja y una distribución precisa del campo. La mayor superficie de la compuerta garantiza un manejo de potencia superior y un rendimiento de conmutación optimizado, lo que hace que estos productos sean ideales para una gran variedad de sistemas de automóviles, desde EPS hasta iluminación y más allá.

Los MOSFET de trinchera con puerta dividida (SGT) de MCC, incluidos MCG40N10YHE3-TP, MCAC80P06YHE3-TP y MCG15P10YHE3-TP, proporcionan una baja resistencia en estado encendido, un mayor control sobre la distribución del campo eléctrico y un rendimiento excepcional en aplicaciones de alta conmutación. El diseño del SGT es especialmente adecuado para dispositivos de alta tensión utilizados en fuentes de alimentación de automóviles, convertidores de CC/CC, otras funciones cruciales del automóvil y usos industriales.

Estos productos están disponibles en encapsulados DFN3333 y DFN5060, que ofrecen una disipación térmica superior al tiempo que ofrecen la opción de un diseño compacto para ahorrar espacio y reducir los costos generales de BOM.