onsemi ofrece el NIV1161 que está diseñado para proteger líneas de datos de alta velocidad de ESD así como situaciones de batería de corto a vehículo. La capacitancia ultrabaja y la baja tensión sujeción ESD hacen de este dispositivo una solución ideal para proteger líneas de datos de alta velocidad de tensión mientras la baja RRDS (ON) FET limita la distorsión en las líneas de señal. El paquete de estilo de flujo pasante permite un fácil diseño de la placa de CI y las longitudes de combinación de trazas necesarias para mantener la impedancia constante entre líneas de alta velocidad diferencial, tales como protocolos de USB y LVDS.
| Características |
| Aplicaciones típicas |
- Capacitancia baja (0.65 pF Típ. desde E/S a GND)
- Correspondencia de capacitancia de diodo entre E/S: 1% típ.
- Diseño optimizado para excelente integridad de señal de alta velocidad
- Protección según las siguientes normas IEC: IEC 61000-4-2 (nivel 4)
- Voltaje de sujeción ESD bajo
- Con calificación AEC-Q101 y capacidad PPAP
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- Pares de señales a alta velocidad automotriz
- USB 2.0/3.0
- LVDS
- HDMI
- APIX2
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