MOSFET de superunión de 600 V y 650 V

Los MOSFET de superunión de PANJIT están optimizados para un diseño fácil y eficiente para el diseño de circuitos de conversión de potencia en dispositivos como los convertidores de CA/CC y CC/CC. La primera generación de MOSFET de superunión de PANJIT requiere un menor esfuerzo de diseño por parte de los ingenieros de diseño de sistemas gracias a un rendimiento de conmutación adecuado y a una baja RDS_(ON), lo que conduce a un tamaño de sistema más pequeño con una baja disipación de calor en los MOSFET de superunión de PANJIT. La robustez de los MOSFET de superunión es también un factor clave para diseñar el sistema adecuadamente y obtener un rendimiento del sistema más fiable.

El MOSFET de superunión de PANJIT muestra el excelente rendimiento de la resistencia di/dt de los diodos de cuerpo. La gran robustez de este diodo de cuerpo puede hacer que el sistema sea más fiable en sistemas como los convertidores de puente completo con desplazamiento de fase y LLC. También reduce las complicaciones de diseño para evitar el fallo del diodo de cuerpo, de modo que el diseñador puede centrarse en el rendimiento del sistema con una excelente resistencia del diodo de cuerpo. Un rendimiento de conmutación muy estable es una de las prestaciones clave del MOSFET de superunión de PANJIT. El MOSFET de superunión de PANJIT se ha desarrollado para el diseño centrado en un menor pico de voltaje y oscilación para reducir los esfuerzos de diseño de placa de CI, lo cual puede seguir el diseño del sistema con mayor flexibilidad, para que el sistema con el MOSFET de superunión de PANJIT sea una tensión EMI menor con un rendimiento adecuado del sistema. Los ingenieros y los desarrolladores de I+D pueden maximizar el rendimiento del sistema con una gran fiabilidad, lo que lleva a un funcionamiento de mayor duración con los MOSFET de superunión PANJIT.