Los MOSFET de diodo de recuperación rápida y alta eficiencia de
STMicroelectronics que incluye una carga de recuperación muy baja (Qrr) y tiempo de recuperación (trr) están optimizados para topologías de puente completo y medio puente de alta tensión que requieren alto rendimiento de conmutación. Estos dispositivos de 600 V disponen de Qg ultra bajo, Coss / Ciss extremadamente bajo, resistencia en estado encendido muy bajo y resistencia dv/dt alta.
| Características clave |
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- Diodo de cuerpo con recuperación rápida
- Extremadamente baja de la puerta de carga y la capacitancia de entrada
- Baja resistencia de "encendido"
- Recuperación muy baja carga (Qrr) y tiempo de recuperación (trr)
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- Avalancha 100% probada
- Resistencia dv/dt extremadamente alta
- Protegidos contra Zener
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