MDmesh M2 EP pertenece a la última generación de MOSFET de potencia con voltaje alto de STMicroelectronic, diseñados según el principio revolucionario de superjunction(SJ). Están diseñados para proporcionar un alto rendimiento en topologías de conmutación duras y suaves (PFC, LLC). Gracias a su diseño de banda y una estructura vertical mejorada, la tecnología exhibe resistencia baja, Qg baja y características de conmutación optimizada con las pérdidas de conmutación muy bajas en modo apagado. Esto permite soluciones más eficientes, compactas y ligeras.
| Características |
| Beneficios |
- Qg extremadamente baja
- Perfil de capacitancia optimizada para condiciones de carga ligera
- Valores optimizados de Vth y Rg para la conmutación suave
- Resistencia del diodo del cuerpo
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- Mejor eficiencia, especialmente en condiciones de carga livianas en topologías PFC y resonantes (es decir LLC)
- Menores pérdidas de conmutación para una gran variedad de carga y voltaje de entrada
- Indicado para topologías de conmutación suave y fuerte
- Diseño seguro
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