MOSFET de SiC STPOWER

Los MOSFET de sistema en chip (SiC) STPOWER de STMicroelectronics aportan la eficiencia avanzada y la fiabilidad de los materiales de banda ancha a una gama más amplia de aplicaciones con conciencia energética, como los inversores para vehículos eléctricos/híbridos, la generación de energía solar o eólica, los accionamientos de alta eficiencia, las fuentes de alimentación y los equipos de redes inteligentes. Con un rango de voltaje ampliado de 650 V a 1700 V, estos MOSFET presentan un excelente rendimiento de conmutación combinado con una resistencia de estado encendido R_DS(ON) muy baja por coeficiente de calidad de área. Los MOSFET de SiC ST permiten diseñar sistemas más eficientes y compactos que nunca. Los MOSFETS de SiC de 1200 V de ST presentan una excelente temperatura nominal de +200 ºC para mejorar el diseño térmico de los sistemas de electrónica de potencia. En comparación con los MOSFET de silicio, los MOSFET de SiC también presentan pérdidas de conmutación significativamente reducidas con una variación mínima en función de la temperatura.

Características principales

• Dispositivos calificados como de uso automotriz (AG)
• Capacidad de manipulación a muy alta temperatura (máx. T_J = +200 ºC)
• Pérdidas de conmutación muy bajas (variación mínima en función de la temperatura) que permiten operar a una frecuencia de conmutación muy alta
• Resistencia de estado encendido baja en el rango de temperatura
• Simple de manipular
• Diodo de estructura intrínseca muy rápida y robusta