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IGBT de parada de campo con compuerta de trinchera de 1,350 V STGWA25IH135DF2/STGWA35IH135DF2
La serie IH2 de 1,350 V de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando una avanzada estructura de parada de campo con compuerta de trinchera.
Las series STGWA25IH135DF2 y STGWA35IH135DF2 de IGBT IH2 de 1,350 V de STMicroelectronics se han desarrollado utilizando una avanzada estructura propietaria de parada de campo con compuerta de trinchera, cuyo rendimiento se ha optimizado tanto en conducción como en pérdidas de conmutación para una conmutación suave. Se incluye un diodo de circulación libre con un voltaje directo de baja caída. El resultado es un producto diseñado específicamente para maximizar la eficiencia de cualquier aplicación de resonancia y conmutación suave.
Características
- Diseñado solo para conmutación suave
- Temperatura de unión máxima: TJ = +175 ºC
- VCE(sat) = 1.7 V (típ.) en IC = 20 A
- Corriente de cola minimizada
- Distribución estricta de parámetros
- Resistencia térmica baja
- Diodo coempaquetado de muy baja caída y recuperación suave
- Coeficiente de temperatura de VCE(sat) positivo
Publicado: 2023-08-07
