MOSFET de carburo de silicio de tercera generación de 650 V y 1.200 V

Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 3ª generación de Toshiba están diseñados para aplicaciones industriales de alta potencia, como fuentes de alimentación CA/CC de entrada de 400 V y 800 V_CA, inversores fotovoltaicos (PV) y convertidores CC/CC bidireccionales para sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS).

Estos MOSFET ayudan a reducir el consumo de energía y a mejorar la densidad de potencia, gracias a la tecnología SiC, que permite que los dispositivos ofrezcan una mayor resistencia a la tensión, una conmutación más rápida y una menor resistencia a la conexión. El diseño de chip de tercera generación de Toshiba ofrece una mayor fiabilidad. Los productos de 650 V presentan una capacitancia de entrada (C_ISS) de 4.850 pF (típica), una baja carga de entrada (Q_g) de 128 nC (típica) y una resistencia de drenaje a fuente (R_DS(ON)) de sólo 15mΩ (típica).

Además, los productos de 1.200 V ofrecen una capacitancia de entrada igualmente baja (C_ISS) de 6000 pF (típica), una carga de entrada de puerta (Q_g) de 158 nC (típica) y una resistencia de drenaje a fuente (R_DS(ON)) de 15 mΩ (típica).

Tanto los MOSFET de SiC de 650 V como los de 1.200 V se ofrecen en el encapsulado TO-247 de tres terminales estándar del sector.