Diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) de 3ª generación

Los diodos Schottky de carburo de silicio de 650 V Gen 3 de Vishay presentan un diseño PIN Schottky fusionado (MPS). Combinan una gran robustez de la corriente de sobretensión con una baja caída de voltaje directo, carga capacitiva y corriente inversa de fuga para aumentar la eficiencia y fiabilidad en los diseños de conmutación de potencia. La estructura MPS de estos dispositivos presenta una cara posterior adelgazada mediante tecnología de recocido por láser, lo que reduce su caída de voltaje directo en 0,3 V en comparación con las soluciones de la generación anterior. Además, su caída de voltaje directo por la carga capacitiva es un 17% menor. La corriente de fuga inversa de los diodos suele ser un 30% inferior a temperatura ambiente y un 70% inferior a altas temperaturas que la solución competidora más cercana. Esto reduce las pérdidas por conducción para garantizar una alta eficiencia del sistema con cargas ligeras y al ralentí. Los dispositivos Gen 3 tampoco tienen prácticamente cola de recuperación, lo que mejora aún más la eficiencia. Los dispositivos de SiC ofrecen mayor conductividad térmica, menor corriente inversa y tiempos de recuperación inversa más cortos que los diodos de silicio con un voltaje de ruptura comparable. Están disponibles en encapsulados TO-22OAC 2L y TO-247AD 3L de orificio pasante y D2PAK 2L (TO-263AB 2L) de montaje en superficie.