Placa de evaluación de MOSFET SiC de 650 V
La placa de Wolfspeed permite a los usuarios evaluar los diodos Schottky y los MOSFET de carburo de silicio de 650 V
La placa de evaluación KIT-CRD-3DD065P de 
Wolfspeed demuestra el rendimiento térmico y de conmutación de los MOSFET de SiC y los diodos Schottky de 650 V. La placa se puede configurar para funcionar como convertidor reductor o elevador en modo síncrono o asíncrono. Los usuarios pueden comenzar a realizar pruebas a los pocos minutos de desembalar el kit.
Características
- Diseñado para permitir la medición de:
- Temporización: TDelay-On, TDelay-Off, TRise y TFall
- Sobrecresta: VDS-Max e ID-Max
- Velocidad: di/dt y dv/dt
- Pérdida de conmutación: EON, EOFF y ERR
- Eficiencia durante el funcionamiento: hasta 2.5 kW
- Voltaje de entrada/salida de CC: 450 V (máx.)
- Potencia (máx.): 2,5 kW a 100 kHz (limitado por el inductor integrado, posibles niveles más altos con un inductor alternativo)
- Compatible con los MOSFET de SiC TO-247-4 y TO-247-3
- Compatible con diodos Schottky TO-247 y TO-220 SiC
- Controladores de compuerta dedicados y fuentes de alimentación aisladas para cada MOSFET de SiC C3M
- Ubicaciones optimizadas para mediciones de sonda de alcance de corriente de drenaje (VGS, VDS e IS)
- Se admiten topologías reductoras y elevadoras síncronas y asincrónicas
Aplicaciones
- Fuentes de alimentación industriales de alto rendimiento
- Fuentes de alimentación para telecomunicaciones y servidores
- Sistemas de carga de vehículos eléctricos
- Sistemas de almacenamiento de energía (ESS)
- Conversores solares (PV)
- Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS)
- Sistemas de gestión de batería (BMS)
650 V SiC MOSFET Evaluation Board
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Función | Integradas | Atributos primarios | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | KIT-CRD-3DD065P | EVAL BOARD FOR 3DD065P | Controlador de compuerta | - | - | 0 - Inmediata | $358.80 | Ver detalles |
Associated MOSFETs
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Rds On (máx) @ Id, Vgs | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | C3M0120065J | 650V 120M SIC MOSFET | 650 V | 21A (Tc) | 157mOhm a 6.76A, 15V | 0 - Inmediata | $9.89 | Ver detalles |
| | C3M0060065J | SICFET N-CH 650V 36A TO263-7 | 650 V | 36A (Tc) | 79mOhm a 13.2A, 15V | 0 - Inmediata | $11.64 | Ver detalles |
|  | C3M0025065K | GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET | 650 V | 97A (Tc) | 34mOhm a 33.5A, 15V | 0 - Inmediata | $30.95 | Ver detalles |
|  | C3M0015065D | SICFET N-CH 650V 120A TO247-3 | 650 V | 120A (Tc) | 21mOhm a 55.8A, 15V | 0 - Inmediata | $54.42 | Ver detalles |
| | C3M0120065K | 650V 120M SIC MOSFET | 650 V | 22A (Tc) | 157mOhm a 6.76A, 15V | 0 - Inmediata | View Details for Pricing | Ver detalles |
| | C3M0120065D | 650V 120M SIC MOSFET | 650 V | 22A (Tc) | 157mOhm a 6.76A, 15V | 0 - Inmediata | $9.89 | Ver detalles |
| | C3M0060065D | SICFET N-CH 650V 37A TO247-3 | 650 V | 37A (Tc) | 79mOhm a 13.2A, 15V | 0 - Inmediata | $11.64 | Ver detalles |
| | C3M0025065D | GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET | 650 V | 97A (Tc) | 34mOhm a 33.5A, 15V | 0 - Inmediata | $31.08 | Ver detalles |
|  | C3M0015065K | SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L | 650 V | 120A (Tc) | 21mOhm a 55.8A, 15V | 0 - Inmediata | $54.42 | Ver detalles |
| | C3M0060065K | SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L | 650 V | 37A (Tc) | 79mOhm a 13.2A, 15V | 0 - Inmediata | $16.57 | Ver detalles |
| | C3M0045065D | GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET | 650 V | 49A (Tc) | 60mOhm a 17.6A, 15V | 0 - Inmediata | $19.68 | Ver detalles |
| | C3M0045065K | GEN 3 650V 49A SIC MOSFET | 650 V | 49A (Tc) | 60mOhm a 17.6A, 15V | 0 - Inmediata | $19.68 | Ver detalles |
Publicado: 2021-07-06
