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AMTP65H150G4LSGB | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 5318-AMTP65H150G4LSGB-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | AMTP65H150G4LSGB |
Descripción | GAN FET N-CH 650V 13A DFN8X8 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 650 V 13A (Tc) 52W (Tc) 4-DFN (8x8) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 1V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.8 nC @ 6 V |
Embalaje Granel | Vgs (máx.) ±18V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 760 pF @ 400 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 52W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor 4-DFN (8x8) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 180mOhm a 10A, 10V |
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