Equivalente paramétrico
Similar
Similar
Similar



DMT3009LFVW-13 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | DMT3009LFVW-13-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | DMT3009LFVW-13 |
Descripción | MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333 |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie, lateral humedecible 30 V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.3W (Ta) PowerDI3333-8 (SWP) típico UX |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12 nC @ 10 V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) | Vgs (máx.) ±20V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 823 pF @ 15 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 2.3W (Ta) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V | Tipo de montaje Montaje en superficie, lateral humedecible |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor PowerDI3333-8 (SWP) típico UX |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 3.8V, 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 11mOhm a 14.4A, 10V | Número de producto base |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMT3009LFVW-7 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMT3009LFVW-7TR-ND | $0.88000 | Equivalente paramétrico |
| TPH11003NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TPH11003NLLQTR-ND | $1.11000 | Similar |
| TPN8R903NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TPN8R903NLLQTR-ND | $0.69000 | Similar |
| RQ3E120GNTB | Rohm Semiconductor | 16 | RQ3E120GNTBTR-ND | $0.53000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.22664 | $679.92 |
| 6,000 | $0.20868 | $1,252.08 |
| 9,000 | $0.19954 | $1,795.86 |
| 15,000 | $0.18926 | $2,838.90 |
| 21,000 | $0.18900 | $3,969.00 |





