MOSFET - Arreglos 60V, 100V 1.7A, 500mA Montaje en superficie 9-BGA (1.35x1.35)
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MOSFET - Arreglos 60V, 100V 1.7A, 500mA Montaje en superficie 9-BGA (1.35x1.35)
How to GaN - 01: Material Capability Comparisons
How to GaN - 02: Building a GaN Transistor

EPC2108

N.º de producto de DigiKey
917-1169-2-ND - Cinta y rollo (TR)
917-1169-1-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante
Número de pieza del fabricante
EPC2108
Descripción
MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Referencia del cliente
Descripción detallada
MOSFET - Arreglos 60V, 100V 1.7A, 500mA Montaje en superficie 9-BGA (1.35x1.35)
Hoja de datos
 Hoja de datos
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Categoría
Rds On (máx) @ Id, Vgs
190mOhm a 2.5A, 5V, 3.3Ohm a 2.5A, 5V
Fabricante
EPC
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V a 100µA, 2.5V a 20µA
Serie
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.22nC a 5V, 0.044nC a 5V
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
22pF a 30V, 7pF a 30V
Estado de pieza
Obsoleto
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología
GaNFET (Nitrito de galio)
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Configuración
3 canales N (medio puente + bootstrap sincrónico)
Paquete / Caja (carcasa)
9-VFBGA
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V, 100V
Paquete del dispositivo del proveedor
9-BGA (1.35x1.35)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
1.7A, 500mA
Número de producto base
Productos asociados
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Preguntas y respuestas sobre el producto
Recursos adicionales
Obsoleto
Este producto ya no se fabrica.
Estado arancelario: Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos. Los costos estimados de la tarifa se calcularán y se mostrarán en el carrito de compras para ayudarlo a evaluar los gastos potenciales.