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IGB50N65S5ATMA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | IGB50N65S5ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IGB50N65S5ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IGB50N65S5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IGB50N65S5ATMA1 |
Descripción | IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3 |
Plazo estándar del fabricante | 28 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | IGBT Parada de campo de trinchera 650 V 80 A 270 W Montaje en superficie PG-TO263-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IGB50N65S5ATMA1 Modelos |
Atributos del producto
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Categoría | Energía de conmutación 1.23mJ (Encendido), 740µJ (Apagado) |
Fabricante Infineon Technologies | Tipo de entrada Estándar |
Serie | Carga de compuerta 120 nC |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Td (encendido/apagado) a 25ºC 20ns/139ns |
Estado de pieza Activo | Condiciones de prueba 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V |
Tipo IGBT Parada de campo de trinchera | Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ) |
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.) 650 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 80 A | Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB |
Corriente - colector impulsado (Icm) 200 A | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-3 |
Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic 1.7V a 15V, 50A | Número de producto base |
Potencia - Máx. 270 W |
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Documentos y medios
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $3.49000 | $3.49 |
| 10 | $2.27600 | $22.76 |
| 100 | $1.58680 | $158.68 |
| 500 | $1.37624 | $688.12 |
Cinta y rollo (TR)
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1,000 | $1.19782 | $1,197.82 |
| 2,000 | $1.12438 | $2,248.76 |
Estado arancelario: Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos. Los costos estimados de la tarifa se calcularán y se mostrarán en el carrito de compras para ayudarlo a evaluar los gastos potenciales.
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