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IMW65R027M1HXKSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-IMW65R027M1HXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IMW65R027M1HXKSA1 |
Descripción | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
Plazo estándar del fabricante | 61 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 47A (Tc) 189W (Tc) PG-TO247-3-41 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IMW65R027M1HXKSA1 Modelos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 5.7V a 11mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 62 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (máx.) +23V, -5V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2131 pF @ 400 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 189W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3-41 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 34mOhm a 38.3A, 18V |
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| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $13.53000 | $13.53 |
| 30 | $8.21300 | $246.39 |
| 120 | $7.04875 | $845.85 |
| 510 | $6.82688 | $3,481.71 |
Estado arancelario: Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos. Los costos estimados de la tarifa se calcularán y se mostrarán en el carrito de compras para ayudarlo a evaluar los gastos potenciales.
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