RF Mosfet 65 V 200 mA 1.8MHz ~ 470MHz 24dB 1800W NI-1230-4H
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RF Mosfet 65 V 200 mA 1.8MHz ~ 470MHz 24dB 1800W NI-1230-4H
NI-1230H-4S
NXP Groundbreaking 1800 W with 65 V LDMOS

MRFX1K80HR5

Número de pieza de DigiKey
568-13464-2-ND - Cinta y rollo (TR)
568-13464-1-ND - Cinta cortada (CT)
568-13464-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Número de pieza del fabricante
MRFX1K80HR5
Descripción
RF MOSFET LDMOS 65V NI1230
Referencia del cliente
Descripción detallada
RF Mosfet 65 V 200 mA 1.8MHz ~ 470MHz 24dB 1800W NI-1230-4H
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
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Categoría
Corriente nominal (Amperios)
10µA
Fabricante
NXP USA Inc.
Corriente - Prueba
200 mA
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Potencia - Salida
1800W
Estado de pieza
No para diseños nuevos
Voltaje nominal
182 V
Tecnología
LDMOS
Tipo de montaje
Montaje de chasis
Configuración
Doble
Paquete / Caja (carcasa)
SOT-979A
Frecuencia
1.8MHz ~ 470MHz
Paquete del dispositivo del proveedor
NI-1230-4H
Ganancia
24dB
Número de producto base
Voltaje - Prueba
65 V
Productos asociados
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Preguntas y respuestas sobre el producto
Recursos adicionales
En stock: 0
50 productos estimados en stock al 4/8/2027
No se recomienda para un diseño nuevo, ya que es posible que se apliquen cantidades mínimas.