NTH4L014N120M3P
N.º de producto de DigiKey	5556-NTH4L014N120M3P-ND
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTH4L014N120M3P
Descripción	SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 127A (Tc) 686W (Tc) TO-247-4L
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4.63V a 37mA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 329 nC @ 18 V
Embalaje Tubo	Vgs (máx.) +22V, -10V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6230 pF @ 800 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 686W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V	Tipo de montaje Orificio pasante
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 127A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-4L
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 18V	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-4
Rds On (máx) @ Id, Vgs 20mOhm a 74A, 18V	Número de producto base NTH4L014

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Sustitutos (5)

N.° de pieza	Fabricante	Número de pieza de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
DMWSH120H18HM4	Diodes Incorporated	31-DMWSH120H18HM4-ND	$28.27000	Similar
DMWSH120H18HM4Q	Diodes Incorporated	31-DMWSH120H18HM4Q-ND	$34.86000	Similar
DMWSH120H23SM4	Diodes Incorporated	31-DMWSH120H23SM4-ND	$27.29000	Similar
DMWSH120H28SM4	Diodes Incorporated	31-DMWSH120H28SM4-ND	$27.29000	Similar
IMYR140R008M2HXLSA1	Infineon Technologies	448-IMYR140R008M2HXLSA1-ND	$34.40000	Similar

Disponible para órdenes

Stock de fábrica: 3,600

450 productos estimados en stock al 15/2/2027

Stock en el Mercado: 2,852 Ver ahora

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$29.40000	$29.40
10	$21.54000	$215.40
450	$20.43062	$9,193.78

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