Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
TPD3215M | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | TPD3215M-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | TPD3215M |
Descripción | MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 600V 70A (Tc) 470W Orificio pasante Módulo |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 28nC a 8V |
Fabricante Renesas Electronics Corporation | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2260pF a 100V |
Embalaje Granel | Potencia - Máx. 470W |
Estado de pieza Obsoleto | Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología GaNFET (Nitrito de galio) | Tipo de montaje Orificio pasante |
Configuración 2 canales N (medio puente) | Paquete / Caja (carcasa) Módulo |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V | Paquete del dispositivo del proveedor Módulo |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 70A (Tc) | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 34mOhm a 30A, 8V |
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Obsoleto
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