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HS8K11TB | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | HS8K11TBTR-ND - Cinta y rollo (TR) HS8K11TBCT-ND - Cinta cortada (CT) HS8K11TBDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | HS8K11TB |
Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML |
Plazo estándar del fabricante | 16 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 30V 7 A, 11 A 2W Montaje en superficie HSML3030L10 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | HS8K11TB Modelos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 1mA |
Fabricante Rohm Semiconductor | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11.1nC a 10V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 500pF a 15V |
Estado de pieza Activo | Potencia - Máx. 2W |
Tecnología MOSFET (óxido de metal) | Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) |
Configuración Dos canal N (doble) | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Característica de FET Compuerta de nivel lógico | Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 8-UDFN |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V | Paquete del dispositivo del proveedor HSML3030L10 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 7 A, 11 A | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 17.9mOhm a 7A, 10V |
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Documentos y medios
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Disponible para órdenes
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Cinta cortada (CT)
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $1.00000 | $1.00 |
| 10 | $0.62600 | $6.26 |
| 100 | $0.40830 | $40.83 |
| 500 | $0.31468 | $157.34 |
| 1,000 | $0.28452 | $284.52 |
Cinta y rollo (TR)
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.24620 | $738.60 |
| 6,000 | $0.22690 | $1,361.40 |
| 9,000 | $0.21707 | $1,953.63 |
| 15,000 | $0.20603 | $3,090.45 |
| 21,000 | $0.20125 | $4,226.25 |
Estado arancelario: Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos. Los costos estimados de la tarifa se calcularán y se mostrarán en el carrito de compras para ayudarlo a evaluar los gastos potenciales.