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GCMS007C120S1-E1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 1560-GCMS007C120S1-E1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | GCMS007C120S1-E1 |
Descripción | GEN3 1200V 7M SIC MOSFET & SBD |
Plazo estándar del fabricante | 6 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje de chasis 1200 V 189H (Tc) 536W (Tc) SOT-227 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 40mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 505 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (máx.) +22V, -8V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 13094 pF @ 1000 V |
Estado de pieza Activo | Característica de FET Diodo Schottky (cuerpo) |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 536W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V | Tipo de montaje Montaje de chasis |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227 |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 11mOhm a 100A, 18V |
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Documentos y medios
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $41.14000 | $41.14 |
| 10 | $30.75100 | $307.51 |
| 100 | $28.02500 | $2,802.50 |
Estado arancelario: Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos. Los costos estimados de la tarifa se calcularán y se mostrarán en el carrito de compras para ayudarlo a evaluar los gastos potenciales.
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