SCTW40N120G2VAG
N.º de producto de DigiKey	497-SCTW40N120G2VAG-ND
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	SCTW40N120G2VAG
Descripción	SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 33A (Tc) 290W (Tc) HiP247™
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 63 nC @ 18 V
Fabricante STMicroelectronics	Vgs (máx.) +22V, -10V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1230 pF @ 800 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 290W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 200°C (TJ)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 33A (Tc)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V	Paquete del dispositivo del proveedor HiP247™
Rds On (máx) @ Id, Vgs 105mOhm a 20A, 18V	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Vgs(th) (máx) a Id 5V a 1mA	Número de producto base SCTW40

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (5)

N.° de pieza	Fabricante	Número de pieza de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
DMWS120H100SM4	Diodes Incorporated	31-DMWS120H100SM4-ND	$20.22000	Similar
DMWSH120H90SM3	Diodes Incorporated	31-DMWSH120H90SM3-ND	$10.90000	Similar
DMWSH120H90SM3Q	Diodes Incorporated	31-DMWSH120H90SM3Q-ND	$13.38000	Similar
DMWSH120H90SM4Q	Diodes Incorporated	31-DMWSH120H90SM4Q-ND	$13.38000	Similar
MSC080SMA120B	Microchip Technology	MSC080SMA120B-ND	$12.80000	Similar

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$17.20000	$17.20
30	$10.66800	$320.04
120	$9.31500	$1,117.80

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