Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados NPN - Prepolarizado 50 V 100 mA 150 mW Montaje en superficie VESM
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RN1105MFV,L3F

Número de pieza de DigiKey
RN1105MFV,L3FTR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante
Número de pieza del fabricante
RN1105MFV,L3F
Descripción
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Referencia del cliente
Descripción detallada
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple prepolarizados NPN - Prepolarizado 50 V 100 mA 150 mW Montaje en superficie VESM
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
RN1105MFV,L3F Modelos
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Categoría
Resistor - Base del emisor (R2)
47 kOhms
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce
80 a 10mA, 5V
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic
300mV a 500µA, 5mA
Estado de pieza
Activo
Corriente - Corte de colector (Máx.)
500nA
Tipo de transistor
NPN - Prepolarizado
Potencia - Máx.
150 mW
Corriente - Colector (Ic) (Máx.)
100 mA
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.)
50 V
Paquete / Caja (carcasa)
SOT-723
Resistencias incluidas
R1 y R2
Paquete del dispositivo del proveedor
VESM
Resistor - Base (R1)
2.2 kOhms
Número de producto base
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Preguntas y respuestas sobre el producto
Recursos adicionales
No disponible
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