Name: TK100E10N1,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK100E10N1S1X-ND
Price: 4.7 USD
Availability: OutOfStock

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Canal N Orificio pasante 100 V 100A (Ta) 255W (Tc) TO-220

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TK100E10N1,S1X
N.º de producto de DigiKey	TK100E10N1S1X-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK100E10N1,S1X
Descripción	MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 100 V 100A (Ta) 255W (Tc) TO-220
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK100E10N1,S1X Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 1mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 140 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8800 pF @ 50 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 255W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 100A (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base TK100E10
Rds On (máx) @ Id, Vgs 3.4mOhm a 50A, 10V

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Sustitutos (1)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	Número de pieza de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
IPP030N10N3GXKSA1	Infineon Technologies	0	448-IPP030N10N3GXKSA1-ND	$5.63000	Similar

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$4.70000	$4.70
50	$2.60600	$130.30
100	$2.45820	$245.82
500	$2.24560	$1,122.80
1,000	$2.22375	$2,223.75

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.

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