Name: TK7S10N1Z,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK7S10N1ZLQTR-ND
Price: 1.55 USD
Availability: OutOfStock

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TK7S10N1Z,LQ
Número de pieza de DigiKey	TK7S10N1ZLQTR-ND - Cinta y rollo (TR) TK7S10N1ZLQCT-ND - Cinta cortada (CT) TK7S10N1ZLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK7S10N1Z,LQ
Descripción	MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 7A (Ta) 50W (Tc) DPAK+
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK7S10N1Z,LQ Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 7.1 nC @ 10 V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (máx.) ±20V
Serie U-MOSVIII-H	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 470 pF @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 50W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 7A (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor DPAK+
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Rds On (máx) @ Id, Vgs 48mOhm a 3.5A, 10V	Número de producto base TK7S10
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 100µA