Name: TPH6R30ANL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH6R30ANL,L1QTR-ND
Price: 1.65 USD
Availability: OutOfStock

Canal N Montaje en superficie 100 V 45A (Tc) 2.5W (Ta), 54W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5)

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

TPH6R30ANL,L1Q
Número de pieza de DigiKey	264-TPH6R30ANL,L1QTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TPH6R30ANL,L1QCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TPH6R30ANL,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPH6R30ANL,L1Q
Descripción	MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 45A (Tc) 2.5W (Ta), 54W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TPH6R30ANL,L1Q Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 500µA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 55 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4300 pF @ 50 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 2.5W (Ta), 54W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento 150°C
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP avanzado (5x5)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 45A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base TPH6R30
Rds On (máx) @ Id, Vgs 6.3mOhm a 22.5A, 10V