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SI7370ADP-T1-GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SI7370ADP-T1-GE3-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI7370ADP-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 60 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) PowerPAK® SO-8 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 70 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2850 pF @ 30 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 10mOhm a 12A, 10V |
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Sustitutos (3)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM130NB06LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | 5,000 | TSM130NB06LCRRLGTR-ND | $1.46000 | Similar |
| TQM130NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | 1801-TQM130NB06CRRLGTR-ND | $1.52000 | Similar |
| TSM130NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | TSM130NB06CRRLGTR-ND | $1.46000 | Similar |
No disponible
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