Equivalente paramétrico



SIHB065N60E-GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SIHB065N60E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHB065N60E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 40A D2PAK |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 600 V 40A (Tc) 250W (Tc) TO-263 (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 74 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2700 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 250W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK) |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 65mOhm a 16A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHB065N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHB065N60E-T1-GE3TR-ND | $2.67878 | Equivalente paramétrico |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $6.58000 | $6.58 |
| 50 | $5.25420 | $262.71 |
| 100 | $4.70110 | $470.11 |
| 500 | $4.14808 | $2,074.04 |
| 1,000 | $3.73326 | $3,733.26 |
| 2,000 | $3.49821 | $6,996.42 |












