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SIHB12N60E-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHB12N60E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHB12N60E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK |
Plazo estándar del fabricante | 12 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) TO-263 (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 58 nC @ 10 V |
Embalaje Granel | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 937 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 147W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 380mOhm a 6A, 10V | Número de producto base |
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Documentos y medios
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Sustitutos (7)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHB12N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB12N60ET1-GE3-ND | $0.95459 | Equivalente paramétrico |
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|---|---|---|
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