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SIHB20N50E-GE3 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.
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SIHB20N50E-GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SIHB20N50E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHB20N50E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 500 V 19A (Tc) 179W (Tc) TO-263 (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 92 nC @ 10 V |
Embalaje Granel | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1640 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 179W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 184mOhm a 10A, 10V | Número de producto base |
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Preguntas y respuestas sobre el producto
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Sustitutos (1)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHB20N50E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHB20N50E-T1-GE3TR-ND | $1.68628 | Equivalente paramétrico |
En stock: 0
1.000 productos estimados en stock al 25/3/2027
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Granel
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $2.22000 | $2.22 |
| 10 | $1.86400 | $18.64 |
| 100 | $1.50800 | $150.80 |
| 500 | $1.47500 | $737.50 |
Estado arancelario: Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos. Los costos estimados de la tarifa se calcularán y se mostrarán en el carrito de compras para ayudarlo a evaluar los gastos potenciales.
