


SIHB21N80AE-GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | 742-SIHB21N80AE-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHB21N80AE-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 800 V 17.4A (Tc) 32W (Tc) TO-263 (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIHB21N80AE-GE3 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 72 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1388 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 32W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK) |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 235mOhm a 11A, 10V |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $3.27000 | $3.27 |
| 10 | $2.54000 | $25.40 |
| 100 | $1.79340 | $179.34 |
| 500 | $1.46522 | $732.61 |
| 1,000 | $1.36087 | $1,360.87 |
| 2,000 | $1.30388 | $2,607.76 |


