Equivalente paramétrico
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SIHB22N60E-GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SIHB22N60E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHB22N60E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) TO-263 (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 86 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1920 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 227W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 180mOhm a 11A, 10V | Número de producto base |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHB22N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB22N60E-E3-ND | $1.85000 | Equivalente paramétrico |
| SIHB22N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB22N60ET1-GE3TR-ND | $4.12000 | Equivalente paramétrico |
| SIHB22N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB22N60ET5-GE3-ND | $1.88393 | Equivalente paramétrico |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 0 | 238-IXFA22N65X2-ND | $5.89000 | Similar |
| IXTA24N65X2 | IXYS | 0 | IXTA24N65X2-ND | $6.44000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $5.37000 | $5.37 |
| 50 | $3.46420 | $173.21 |
| 100 | $3.26340 | $326.34 |
| 500 | $2.29324 | $1,146.62 |
| 1,000 | $2.06490 | $2,064.90 |








