


SIHB24N80AE-GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | 742-SIHB24N80AE-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHB24N80AE-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 800 V 21A (Tc) 208W (Tc) TO-263 (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 89 nC @ 10 V |
Fabricante | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1836 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 208W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK) |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 184mOhm a 10A, 10V | Número de producto base |
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $4.52000 | $4.52 |
| 50 | $2.32600 | $116.30 |
| 100 | $2.11390 | $211.39 |
| 500 | $1.74210 | $871.05 |
| 1,000 | $1.62273 | $1,622.73 |
| 2,000 | $1.59750 | $3,195.00 |

