
SIHD12N50E-GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SIHD12N50E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHD12N50E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 550 V 10.5A (Tc) 114W (Tc) DPAK |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 50 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 886 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 114W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TA) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 550 V | Paquete del dispositivo del proveedor DPAK |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 380mOhm a 6A, 10V |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $2.16000 | $2.16 |
| 10 | $1.62800 | $16.28 |
| 100 | $1.11420 | $111.42 |
| 500 | $0.89432 | $447.16 |
| 1,000 | $0.82363 | $823.63 |
| 3,000 | $0.74964 | $2,248.92 |
| 6,000 | $0.72500 | $4,350.00 |

