Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico

SIHD2N80AE-T4-GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | 742-SIHD2N80AE-T4-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHD2N80AE-T4-GE3 |
Descripción | N-CHANNEL 800V |
Plazo estándar del fabricante | 12 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 800 V 2.9A (Tc) 62.5W (Tc) TO-252AA |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.9Ohm a 500mA, 10V |
Fabricante | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Serie | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10.5 nC @ 10 V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 180 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 62.5W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHD2N80AE-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHD2N80AE-GE3-ND | $1.46000 | Equivalente paramétrico |
| SIHD2N80AE-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHD2N80AE-T1-GE3TR-ND | $0.50205 | Equivalente paramétrico |
| SIHD2N80AE-T5-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHD2N80AE-T5-GE3TR-ND | $0.49422 | Equivalente paramétrico |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.49422 | $1,482.66 |
| 6,000 | $0.48275 | $2,896.50 |
| 9,000 | $0.47700 | $4,293.00 |
| 15,000 | $0.47064 | $7,059.60 |
| 21,000 | $0.46692 | $9,805.32 |


