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SIHD2N80E-GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SIHD2N80E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHD2N80E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 800 V 2.8A (Tc) 62.5W (Tc) TO-252AA |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 19.6 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 315 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 62.5W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.75Ohm a 1A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| SPD02N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | 0 | SPD02N80C3ATMA1TR-ND | $1.25000 | Similar |
| STD2N62K3 | STMicroelectronics | 0 | 497-STD2N62K3TR-ND | $2.09000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $1.97000 | $1.97 |
| 10 | $1.25300 | $12.53 |
| 100 | $0.84570 | $84.57 |
| 500 | $0.67106 | $335.53 |
| 1,000 | $0.61491 | $614.91 |
| 3,000 | $0.54364 | $1,630.92 |
| 6,000 | $0.51250 | $3,075.00 |



