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SIHD6N65ET1-GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SIHD6N65ET1-GE3-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHD6N65ET1-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) TO-252AA |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 48 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 820 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 78W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 600mOhm a 3A, 10V |
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Sustitutos (4)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFA14N60P | IXYS | 0 | IXFA14N60P-ND | $3.24000 | Similar |
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Disponible para órdenes
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Cinta y rollo (TR)
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 2,000 | $0.69568 | $1,391.36 |
| 4,000 | $0.65000 | $2,600.00 |
