Similar

SIHD6N80E-GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SIHD6N80E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHD6N80E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 800 V 5.4A (Tc) 78W (Tc) TO-252AA |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 44 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Granel | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 827 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 78W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 940mOhm a 3A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| TK5P60W,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK5P60WRVQTR-ND | $2.59000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $1.44000 | $1.44 |
| 10 | $1.19500 | $11.95 |
| 100 | $0.95120 | $95.12 |
| 500 | $0.85876 | $429.38 |


