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SIHG21N65EF-GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SIHG21N65EF-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHG21N65EF-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 21A TO247AC |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) TO-247AC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIHG21N65EF-GE3 Modelos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 106 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2322 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 208W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 180mOhm a 11A, 10V | Número de producto base |
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Sustitutos (9)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFH22N65X2 | IXYS | 0 | 238-IXFH22N65X2-ND | $6.90000 | Similar |
| IXFH42N60P3 | IXYS | 0 | IXFH42N60P3-ND | $8.06000 | Similar |
| IXFX44N80Q3 | IXYS | 0 | IXFX44N80Q3-ND | $31.33400 | Similar |
| IXTH24N65X2 | IXYS | 0 | IXTH24N65X2-ND | $6.49000 | Similar |
| IPW60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPW60R170CFD7XKSA1-ND | $3.53000 | Similar |
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 500 | $2.48414 | $1,242.07 |
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