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Equivalente paramétrico
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SIHG33N60E-E3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SIHG33N60E-E3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHG33N60E-E3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) TO-247AC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 150 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3508 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 278W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 99mOhm a 16.5A, 10V |
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Sustitutos (5)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHG33N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG33N60E-GE3-ND | $6.56000 | Equivalente paramétrico |
| TK28N65W,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK28N65WS1F-ND | $7.92000 | Similar |
| SPW35N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | 0 | SPW35N60C3FKSA1-ND | $9.39000 | Similar |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | $11.46000 | Similar |
| TSM60NE084PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | 1801-TSM60NE084PWC0G-ND | $10.11000 | Similar |
Disponible para órdenes
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Cantidad
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 500 | $2.96964 | $1,484.82 |
