Directo
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SIHP11N80E-GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SIHP11N80E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHP11N80E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 800 V 12A (Tc) 179W (Tc) TO-220AB |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 88 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1670 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 179W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 440mOhm a 5.5A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHP11N80E-BE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHP11N80E-BE3-ND | $4.43000 | Directo |
| IXFP14N60P | IXYS | 0 | IXFP14N60P-ND | $3.05270 | Similar |
| IXTP14N60PM | IXYS | 0 | IXTP14N60PM-ND | $2.50460 | Similar |
| TK12E80W,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK12E80WS1X-ND | $5.22000 | Similar |
| STP10NM60ND | STMicroelectronics | 626 | 497-12276-ND | $2.57000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $4.09000 | $4.09 |
| 10 | $2.96900 | $29.69 |
| 100 | $2.26380 | $226.38 |
| 500 | $1.96552 | $982.76 |
| 1,000 | $1.68749 | $1,687.49 |
| 2,000 | $1.58625 | $3,172.50 |




