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SIHP12N65E-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHP12N65E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHP12N65E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 12A (Tc) 156W (Tc) TO-220AB |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIHP12N65E-GE3 Modelos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 70 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1224 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 156W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 380mOhm a 6A, 10V | Número de producto base |
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