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SIHP18N60E-GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SIHP18N60E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHP18N60E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 600 V 18A (Tc) 179W (Tc) TO-220AB |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIHP18N60E-GE3 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 92 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1640 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 179W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 202mOhm a 9A, 10V | Número de producto base |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| TK17E65W,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK17E65WS1X-ND | $4.78000 | Directo |
| IPP60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP60R180C7XKSA1-ND | $2.77000 | Similar |
| STP20N65M5 | STMicroelectronics | 0 | 497-13538-ND | $2.14000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1,000 | $1.44721 | $1,447.21 |



