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SIHP22N60E-GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SIHP22N60E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHP22N60E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Rds On (máx) @ Id, Vgs 180mOhm a 11A, 10V |
Fabricante | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Serie | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 86 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1920 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 227W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFP22N65X2 | IXYS | 0 | 238-IXFP22N65X2-ND | $5.62000 | Similar |
| IXTP24N65X2 | IXYS | 0 | IXTP24N65X2-ND | $6.78000 | Similar |
| TK16E60W,S1VX | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK16E60WS1VX-ND | $3.68000 | Similar |
| TK20E60W,S1VX | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | 264-TK20E60W,S1VX-ND | $6.58000 | Similar |
| SPP20N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-SPP20N60C3XKSA1-ND | $4.91000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $3.30000 | $3.30 |
| 10 | $3.13100 | $31.31 |
| 100 | $2.53820 | $253.82 |
| 500 | $2.36076 | $1,180.38 |
| 1,000 | $1.81250 | $1,812.50 |





