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SIHP23N60E-GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SIHP23N60E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHP23N60E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 23A TO220AB |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) TO-220AB |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIHP23N60E-GE3 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 95 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2418 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 227W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 158mOhm a 12A, 10V | Número de producto base |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHP23N60E-BE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHP23N60E-BE3-ND | $3.65000 | Directo |
| TK20E60W,S1VX | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | 264-TK20E60W,S1VX-ND | $6.58000 | Similar |
| IPP60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP60R180C7XKSA1-ND | $2.77000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $2.19000 | $2.19 |
| 50 | $1.73320 | $86.66 |
| 100 | $1.48550 | $148.55 |
| 500 | $1.45300 | $726.50 |




